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A startup Crossbar anunciou neste mês que os testes com a tecnologia de RAM resistiva está finalizada e pronta para fabricação em massa. A diferença básicamente entre a memória flash e a memória ReRAM mais conhecida com RAM resistiva é a densidade, confiabilidade e velocidade.
A tecnologia ReRAM possibilita o armazenamento de dados com garantia de integridade até 10 anos, já a tecnologia Flash têm a durabilidade mais ou menos de 12 meses ( 1 ano ).
Em relação a velocidade de leitura e escrita a latência na memória NAND ( memória flash ) é de centenas de microsegundos a RRAM chegou a 50 nanosegundos. Uma outra vantagem em relação a densidade dos dados é que a barreira do 1TB que temos hoje com a memória flash deve ser facilmente ultrapassada, já que os primeiros modelos devem ser fabricados em 3D com centenas de camadas articuladas verticalmente.
A previsão para aparecer no mercado os primeiros em no final de 2016. Se você ficou na dúvida se vai trocar os discos do seu parque de máquinas por memórias ReRAM ao invés de SSD imaginem gigantes como Google, Facebook, Twitter e outros data centers que investem continuamente em velocidade e disponibilidade.
A previsão para aparecer no mercado os primeiros em no final de 2016. Se você ficou na dúvida se vai trocar os discos do seu parque de máquinas por memórias ReRAM ao invés de SSD imaginem gigantes como Google, Facebook, Twitter e outros data centers que investem continuamente em velocidade e disponibilidade.
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